Sinc Gwres Alwminiwm Pŵer Uchel IGBT

Mae perfformiad afradu gwres rheolwr moduron Transistor Deubegwn Gate Insulated (Transistor Deubegwn Gate Insulated, yr IGBT) yn dod yn fwy a mwy yn IGBT modur sydd bellach yn mynd i mewn i'r farchnad electroneg pŵer diwydiannol, fel sinc gwres (weldio), gwrthdröydd tyniant, gyriant modur, ac ati.Ruiqifengyn darparu cynhyrchion cydosod sinc gwres IGBT sy'n caniatáu i IGBT weithio ar gae tymheredd uwch wrth gadw tymheredd y gyffordd weithio o fewn ystod ddiogel trwy gyfuno ymwrthedd thermol isel â silicon Vce (on).

Mae IGBT yn y rhan fwyaf o achosion yn gweithio gyda dyfais pŵer uchel, mae pŵer uchel yn golygu afradu gwres uwch, mae IGBT tuag at allu mawr, amledd uchel, hawdd ei yrru, colled isel, modiwlaidd, yn nodi cyfeiriad y datblygiad, o'i gymharu â dyfeisiau electronig pŵer eraill, Mae gan sinc gwres IGBT ddibynadwyedd uchel, gyriant syml, hawdd ei amddiffyn, nid oes cylched clustogi ac mae amlder newid yn uchel, felly mae sinc gwres IGBT yn y farchnad electronig yn angenrheidiol iawn.Er mwyn cyflawni'r perfformiadau uchel hyn, defnyddir llawer o brosesau mewn cylchedau integredig, megis epitaxy, mewnblannu ïon, lithograffeg dirwy, ac ati Yn ystod y blynyddoedd diwethaf, mae perfformiad sinc gwres modiwl IGBT pŵer wedi'i wella'n gyflym, mae'r cerrynt graddedig wedi cyrraedd cannoedd o amperes, y foltedd gwrthsefyll o fwy na 1500V, ac yn dal i wella.Gan fod gan ddyfeisiau IGBT nodweddion cadarnhaol y deuod PIN, nid yw nodweddion sinc gwres modiwl IGBT pŵer p-sianel yn wahanol iawn i nodweddion IGBT n-sianel, sy'n ffafriol iawn i fabwysiadu strwythur cyflenwol yn y cais, gan ehangu felly. ei gymhwysiad ym maes technoleg rheoli cerrynt eiledol a digidol.Mantais fwyaf IGBT yw y gall wrthsefyll sioc gyfredol naill ai mewn cyflwr cylched ymlaen neu gylched fer.Nid yw ei gysylltiad cyfochrog yn broblem ac mae ei gysylltiad cyfres yn hawdd oherwydd ei oedi cau byr.

Mae dulliau trosglwyddo gwres IGBT fel arfer yn cynnwys oeri aer, oeri dŵr, sinc gwres copr neu sinc gwres alwminiwm.Mae ei afradu gwres yn seiliedig ar egwyddor sylfaenol trosglwyddo gwres, mae llwybr llif gwres gyda'r gwrthiant thermol isaf wedi'i gynllunio ar gyfer y ddyfais fel y gellir gollwng y gwres a allyrrir gan y ddyfais cyn gynted â phosibl, er mwyn sicrhau bod y mewnol tymheredd cyffordd y ddyfais bob amser yn cael ei gadw o fewn y tymheredd cyffordd a ganiateir.

Ar hyn o bryd, mae'r sinc gwres pibell gwres IGBT presennol yn y farchnad yn bennaf yn cynnwys asgell afradu gwres, pibell wres a swbstrad, y mae'r swbstrad yn cael ei ddarparu gyda nifer o rhigolau cyfochrog, ac yna mae'r rhigol yn cael ei weldio â sodrydd i'r adran anweddu o y bibell wres.Yn y dechnoleg sinc gwres pibell wres IGBT bresennol, mae rhan anweddu'r bibell wres wedi'i chladdu yn rhigol yr is-haen ac nid yw'n ffitio'n uniongyrchol i'r wyneb IGBT.Yn y broses weithio, mae'r gwres o'r wyneb IGBT yn cael ei allforio yn gyntaf trwy'r swbstrad ac yna'n cael ei drosglwyddo i'r bibell wres a'r sinc gwres.Yn olaf, mae'r gwres o'r sinc gwres yn cael ei drosglwyddo i'r aer trwy ddarfudiad.Oherwydd bod gan y swbstrad ei hun wrthwynebiad thermol, a bod cyfernod dargludedd thermol y bibell wres yn llawer uwch na'r sylfaen, mae effeithlonrwydd dargludedd thermol sinc gwres y bibell wres yn gyfyngedig, ac mae'r perfformiad afradu gwres yn cael ei leihau.Gall sinc gwres IGBT drosglwyddo'r gwres yn gyfartal o'r swbstrad i'r asgell, a all ddatrys problem afradu gwres fflwcs gwres uchel yn effeithiol, nid yn unig gydag effeithlonrwydd uchel ond hefyd gyda strwythur cryno a dim rhannau symudol, a all wirioneddol wireddu cynnal a chadw- rhydd.